IRF630 là MOSFET công suất thế hệ thứ ba được thiết kế đặc biệt cho các ứng dụng yêu cầu bật tắt tốc độ cao. Có trở kháng thấp, chi phí rẻ và thiết kế chắc chắn.
IRF630 được thiết kế để cấp điện áp tải lên đến 200V và dòng điện 9A. Có thể điều khiển dòng điện lên đến 36A ở chế độ xung trong 300 μs với chu kỳ xử lý (duty cycle) 2%. MOSFET công suất được thiết kế đặc biệt để giảm thiểu điện dung đầu vào (Input capacitance) và có package TO-220.
Số chân | Tên chân | Mô tả chân |
1 | Gate | Điều khiển phân cực MOSFET |
2 | Drain | Dòng đi vào chân Drain |
3 | Source | Dòng điện đi ra Source |
Đặc điểm
IRF630 có thể được thay thế bằng IRFS630, IRFS631, IRF630PBF, IRF640, IRF640PBF, IRF644, IRFB17N50L.
Các ứng dụng
Lưu ý: Có thể xem chi tiết thông số kỹ thuật trong datasheet IRF630, link ở cuối trang này.
MOSFET được bật bằng cách kích điện áp Gate thích hợp giữa cực gate và source. Nếu điện áp gate không cấp đủ, MOSFET sẽ vẫn ở trạng thái TẮT. Ví dụ: IRF630 làm MOSFET và sử dụng MOSFET này làm thiết bị để BẬT và TẮT đèn LED. Mô phỏng được thực hiện trong phần mềm proteus.
Điều kiện 1: Khi điện áp gate được cấp lớn hơn 4V, đèn LED sẽ BẬT. Ở đây, cấp 5 V giữa gate và source.
Điều kiện 2: Khi điện áp gate đặt vào nhỏ hơn 4 V, đèn LED vẫn ở trạng thái TẮT. Trong ví dụ này, điện áp gate được cấp 3V và đèn LED sẽ TẮT trong hình bên dưới.
>> Mời anh em xem thêm