IRFP460 N-Channel Power MOSFET

31/07/23

Chuyên mục: Điện Dân Dụng

IRFP460 là MOSFET công suất kênh N của hãng Vishay, được thiết kế có điện trở thấp và tốc độ bật tắt nhanh. Đây là linh kiện điện áp cao, chịu nguồn điện lên đến 500V ở package TO-247.

Cấu hình chân IRFP460

Số chân	Tên chân	Mô tả
1	Gate	Điều khiển dòng điện đi giữa chân Drain và Source
2	Drain	Dòng điện chạy vào MOSFET qua chân này
3	Source	Thường được kết nối với mass và dòng điện chạy ra chân này, điện áp Gate cấp vào chân này

Các tính năng và thông số kỹ thuật

MOSFET công suất kênh N
Điện áp breakdown Drain-source: 500V
Dòng xả liên tục: 20A
Điện dung đầu vào: 4.2nF
Ngưỡng giá trị điện áp gate: 2V đến 4V
Có package TO-247

Lưu ý: Có thể xem chi tiết thông số kỹ thuật trong datasheet IRFP460 được cung cấp ở cuối bài viết này.

MOSFET IRFP460 tương đương:

IRF3205, IRF250, IRF840

Tổng quát IRFP460

Các IRFP460 là MOSFET kênh N sản xuất bởi hãng Vishay. Có điện áp đánh thủng cao 500V và điện trở thấp 0,27Ω ở điện áp gate 10V. Với điện áp đánh thủng cao này, có thể được sử dụng trong các bộ chuyển đổi đầu vào điện áp, bộ khuếch đại điện áp cao và bộ điều khiển động cơ.

Cách sử dụng MOSFET IRFP460

MOSFET là một thiết bị điều khiển bằng điện áp, có nghĩa là phải có điện áp ở chân gate (đối với chân source) để bật. Trong trường hợp này, IRFP460 có điện áp ngưỡng gate từ 2V đến 4V và chỉ bắt đầu dẫn điện khi điện áp tại chân gate đạt mức điện áp đó.

Để đạt được điện trở 0,27Ω, điện áp gate ít nhất phải là 10V. Giới hạn tối đa của điện áp gate là ± 20V, vượt quá mức đó chân gate có thể bị hỏng.

Các MOSFET công suất như IRFP460 thường được sử dụng ở cấu hình bật tắt low-side. Trong mạch mô phỏng ở bên dưới, MOSFET được sử dụng để bật tắt tải cảm ở tần số 10kHz.

Diode trên cuộn cảm tránh điện áp tăng đột biến làm hỏng MOSFET. Điện trở pull-down 10K đảm bảo rằng MOSFET không tự bật lên.